《半导体技术》（CN：13-1109/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊，美国ProQuest数据库收录期刊。

趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

维普收录(中) 上海图书馆馆藏 Pж(AJ) 文摘杂志(俄) SA 科学文摘(英) 北大期刊(中国人文社会科学期刊) CA 化学文摘(美) 万方收录(中) 知网收录(中) 国家图书馆馆藏 JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) 剑桥科学文摘 中国优秀期刊遴选数据库 中国科技期刊优秀期刊 中国期刊全文数据库（CJFD） Caj-cd规范获奖期刊

1.注释一律采用脚注，且须标明相应的作者、篇名、出版社(或杂志名)、年份(或年期)及页码。

2.引文标注采用文后注形式，采用[1][2][3]……的形式统一编码。文献征引请使用参考文献标准格式。

3.表格全部采用三线表，插图中的文字采用小5号宋体加粗，每张插图的宽度不要超过200px，一律用Word文档制作。

4.正文标题：内容应简洁、明了，层次不宜过多，层次序号为一、（一）、1、（1），层次少时可依次选序号。

5.作者切忌一稿多投，3个月内未收到我刊任何回复，即可将稿件另行处理。无论文章采用与否，均不予退稿，请作者自留底稿。

• 用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器

  基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高...

  作者：刘德志; 王绍权; 王鑫; 马琳 刊期： 2019年第02期

• 卫星通信系统CMOS分数分频频率综合器设计

  基于CMOS工艺,设计了一款可用于无线卫星通信系统的低相噪、低杂散、24 bit分数分频频率综合器。频率综合器内部集成LC压控振荡器(VCO),通过自动增益控制电路调整VCO输出频率,采用电荷泵偏移电流线性化技术及Δ-Σ调制器加抖动技术改善相位噪声和杂散性能。在整数模式和分数模式下,带内相位噪声分别为-106.2 dBc/Hz和-99.7 dBc/Hz。VCO的输出频率...

  作者：曲韩宾; 谷江; 丁理想; 高博; 张晓朋; 耿双利; 吴兰 刊期： 2019年第02期

• 26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制

  研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)...

  作者：董毅敏; 蔡道民; 高学邦; 邬佳晟; 汪江涛; 谭仁超 刊期： 2019年第02期

• 基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计

  采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通...

  作者：李硕; 何进; 陈婷; 薛喆; 王豪; 常胜; 黄启俊; 魏恒 刊期： 2019年第02期

• 超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续)

  4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而...

  作者：赵正平 刊期： 2019年第02期