《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯

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• pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型

  器件的负偏压温度不稳定性（Negative bias temperature instability,NBTI）退化依赖于栅氧化层中电场的大小和强反型时沟道空穴浓度,沟道掺杂浓度的不同显然会引起栅氧化层电场的变化。栅氧化层的厚度不仅影响栅氧化层电场,而且会影响沟道空穴浓度,因而,改变沟道掺杂浓度和栅氧化层厚度会引起NBTI退化的不同。首先利用pMOSFETS器件的能带图和NB...

  作者：刘毅; 孙瑞泽; 贺威; 曹建民 刊期： 2018年第01期

• 立方相Ca2Ge电子结构及热力学性质的第一性原理研究

  采用基于密度泛函理论的第一性原理平面贋势平面波法对立方相Ca2Ge的电子结构和声子色散关系进行了研究。分析得到：立方相Ca2Ge是带隙为0.553eV的直接半导体,导带主要由Ca 3d电子态贡献,决定了立方相Ca2Ge半导体的特性。由声子色散和声子态密度关系分析得到立方相Ca2Ge晶格振动声学波由Ca原子和Ge原子贡献,光学波低频段（4.6-5.5THz）主要由Ge...

  作者：吕林; 杨吟野; 岑伟富 刊期： 2018年第01期

• 六边形BN片掺杂的ZGNR的磁电子学特性

  利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了六边形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带（ZGNR）的磁电子学特性。研究表明,当处于无磁（NM）态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现金属-准金属的相变。当处于铁磁（FM）态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现自旋金属-自旋半导体的相变,且为双极化自旋半导体。当处于反铁磁（AFM）态时,不同浓度掺杂的ZGNR都是自...

  作者：张华林; 艾相旭; 唐贵平; 刘娟 刊期： 2018年第01期

• K波段2.5 W GaN功率MMIC设计

  报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75-27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,尽可能降低损耗并兼顾效率匹配,以提升芯片附加效率;使用RCL稳定网络提高电路的稳定性,优化级间网络的版图布局...

  作者：郭润楠; 张斌; 陶洪琪 刊期： 2018年第01期

• 6500 V SiC场限环终端设计与实现

  针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环...

  作者：杨同同; 杨晓磊; 黄润华; 李士颜; 刘奥; 杨立杰; 柏松 刊期： 2018年第01期